Der Prozess, in dem Gettering Verunreinigungen und Defekte in einem Halbleiter Wafer erfolgt durch betonte seine hintere Oberfläche (durch Induktion Schaden oder Hinterlegung Material mit anders als Halbleiter thermischer Ausdehnungskoeffizient) und anschließend thermisch behandeln den Wafer; Schadstoffe und/oder Mängel werden verschoben in Richtung Rückseite und Weg von der Vorderseite wo Halbleiterbauelemente gebildet werden können.