Ein Halbleiterbauelement, das aus P-Typ besteht Quelle und Abfluss Regionen verbreitet in einem N-Typ Silizium-Substrat. A Substrat ist das Begleitmaterial, auf dem ein IC-Chip basiert. Quelle und Abfluss sind auf beiden Seiten von einem schmalen Kanal N-Material und eine isolierende Schicht Siliciumoxid ist über das Substrat hinterlegt, so dass sie die Quelle, den Abfluss und der Kanal zwischen ihnen deckt. Ein Tor-Verbindung zwischen der Quelle und dem Abfluss gebildet ist, und es wird von ihnen durch die Oxidschicht isoliert.

A-Steuerspannung angewendet zum Tor verursacht das Material in den Kanal zu handeln, als ob es wäre P-Typ-Material und Elektronen von der Quelle zu den Abfluss fließen ohne eine P-N-Kreuzung überqueren. , Die Quelle und den Abfluss von einem MOSFET dienen gleich als der Emitter und Kollektor eines bipolaren Transistors fungiert. Jedoch die Quelle und der Abfluss sind austauschbar, während die Emitter und Kollektor eines bipolaren Transistors nicht.